被探测的InP晶圆
CTL研究人员在片上测量和建模方面有超过30年的经验，开创了芯片上电测量所需的校准方法，频率范围从兆赫到太赫兹。这些校准方法使集成电气元件的表征成为可能，包括晶体管、电容器、过滤器和3D互连，以及制造或包装它们的材料。使用这些方法量化电子行为使制造商能够验证所制造器件的性能，以及告知和验证电路设计过程中使用的器件模型。电气测量的改进可以带来更好的模型，更可预测的设计，改进的可制造性，以及更好的首次通过设计成功的可能性。
制造商和诸如国防高级研究计划局(DARPA)等技术加速器一直在利用CTL的晶圆上专业知识。在2022年秋季，CTL为DARPA的三个关键项目提供先进微电子器件独立验证和验证(IV&V)的测量和支持。
CTL研究人员e
评估最终成果并验证了集成微波循环器自偏铁氧体材料的新型三维异质集成。CTL为该项目创建了校准套件
评估回应
前沿微型电子滤波器的Nse
可导向天线。CTL提供了校准和co
用于精确的片上测量，高达220 GHz至e
评估高频响应
Nse最先进的复合半晶
用于下一代相控阵的与天线元件异质集成的导体器件。
通过参与上述DARPA项目(以及其他项目，包括MMIC、太赫兹电子、ELASTx、DAHI和CHIPS)和其他合作，CTL开发了毫米波频率下的表征和建模测量、前沿集成微电子组件、用于3D异构集成的互连以及先进材料。每个项目都与工业利益相关者合作，包括诺斯罗普·格鲁曼、Teledyne、休斯研究实验室、雷声、IBM、英特尔、AIM光子、光波逻辑、康宁、Broadpak和Cadence。利益相关者的应用包括5G/6G通信、生物医学、光通信、射电天文学、雷达和空间通信。
